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本申請涉及光學(xué)裝置用基底。本申請要求基于日期為年月日的韓國專利申請第--號的優(yōu)先權(quán)權(quán)益，其公開內(nèi)容通過引用整體并入本文。、對于使用柔性基底的液晶單元的長期穩(wěn)定性和大面積可擴(kuò)展性而言，重要的是在上基底與下基底之間保持單元間隙并且在上基底與下基底之間賦予粘合力。為了保持上基底與下基底之間的單元...

本發(fā)明涉及電活性反射多層模塊的領(lǐng)域。其可以特別有利地用于機(jī)動車輛包覆或信號傳導(dǎo)領(lǐng)域，特別是用于車輛的前部零件或此類車輛的內(nèi)部艙。、通常的做法是在機(jī)動車輛零件上具有圖案或視覺元素以便對其進(jìn)行裝飾或用于信號傳導(dǎo)目的。為此，發(fā)光源通常用于在白天期間和在夜晚都顯示此種圖案。為了限制該類型的模塊的功...

本發(fā)明涉及光學(xué)薄膜，尤其是涉及一種可替代擴(kuò)散板的反射型偏光增亮膜及其制備方法。、液晶顯示器（lcd）自身不發(fā)光，需依賴背光模塊提供均勻、明亮的面光源。在典型的側(cè)入式或直下式背光模組中，光源（如led）、導(dǎo)光板（lgp）以及多層光學(xué)膜片共同構(gòu)成完整的光學(xué)系統(tǒng)。其中，光學(xué)膜片主要包括擴(kuò)散板、下...

本發(fā)明涉及一種液晶系統(tǒng)，其包括：至少一個(gè)液晶元件，其包括具有前側(cè)操控觸點(diǎn)的前側(cè)電極和具有后側(cè)操控觸點(diǎn)的后側(cè)電極；和操控電子器件，其構(gòu)造成為了操控所述至少一個(gè)液晶元件而將前側(cè)操控電壓施加到相應(yīng)液晶元件的前側(cè)操控觸點(diǎn)并且將后側(cè)操控電壓施加到相應(yīng)液晶元件的后側(cè)操控觸點(diǎn)。本發(fā)明還涉及一種用于車輛的照明裝置...

本發(fā)明涉及光纖連接器，具體涉及一種高對接精度保持性的mpo連接器。、隨著光通信技術(shù)的高速發(fā)展，光纖連接器作為光信號傳輸鏈路中的核心連接部件，其對接精度直接決定光信號的傳輸效率與穩(wěn)定性。mpo連接器因具備高密度、多通道的連接優(yōu)勢，被廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、光纖通信網(wǎng)絡(luò)等場景。、現(xiàn)有技術(shù)中，mpo...

本發(fā)明屬于電子設(shè)備，具體涉及一種鏡頭光圈調(diào)節(jié)裝置。、在相機(jī)光圈方面，于光線充足的環(huán)境下，相機(jī)通過縮小光圈，能夠獲取更深的景深以及更清晰銳利的圖像；而在光線匱乏的環(huán)境中，通過增大光圈可增加進(jìn)光量，進(jìn)而獲得更高曝光度、更低噪點(diǎn)的純凈圖像。在電子設(shè)備領(lǐng)域內(nèi)，通常電子設(shè)備的攝像頭無法調(diào)整光圈大小，...

本發(fā)明屬于晶圓量測，尤其涉及一種基于雙物鏡的tis優(yōu)化方法。、在實(shí)際的前道晶圓量測應(yīng)用環(huán)境中發(fā)現(xiàn)，一般套刻光學(xué)量測設(shè)備只會用到種倍率物鏡，在市面上的套刻光學(xué)量測設(shè)備往往是配置-孔位物鏡更換模組（圖中的直線物鏡切換器或者圖中的物鏡轉(zhuǎn)盤）。tis是衡量量測工具自身系統(tǒng)誤差的關(guān)鍵指標(biāo)，通過比較同...

本發(fā)明屬于晶圓量測，尤其涉及一種tis量測用雙物鏡聚焦成像裝置。、在實(shí)際的前道晶圓量測應(yīng)用環(huán)境中發(fā)現(xiàn)，一般套刻光學(xué)量測設(shè)備只會用到種倍率物鏡，在市面上的套刻光學(xué)量測設(shè)備往往是配置-孔位物鏡更換模組（圖中的直線物鏡切換器或者圖中的物鏡轉(zhuǎn)盤）。tis是衡量量測工具自身系統(tǒng)誤差的關(guān)鍵指標(biāo)，通過比...

本發(fā)明屬于光學(xué)成像，尤其涉及一種光學(xué)鏡頭、鏡頭模組和終端設(shè)備。、隨著智能大燈的發(fā)展，在百萬級像素大燈應(yīng)用中對光學(xué)鏡頭的要求不斷提高，追求更高的光通量、更小的體積以及更高的解像力等。未來智能大燈的投影鏡頭從輔助駕駛過渡至影音娛樂方面，在保持原有的輔助駕駛功能的基礎(chǔ)上對更小的畸變，更低的色差等...

本發(fā)明涉及硅基混合集成模式全光開關(guān)，具體涉及一種石墨烯堆疊掩埋的高階模式全光開關(guān)及其制備方法。、波導(dǎo)型熱光開關(guān)器件在光通信集成光子芯片領(lǐng)域中有著光路分配、信號路由與網(wǎng)絡(luò)重構(gòu)等關(guān)鍵功能，是光交叉連接（oxc）、光分插復(fù)用（oadm）及網(wǎng)絡(luò)保護(hù)倒換系統(tǒng)的重要元件。相較于電光、聲光及微機(jī)電等其它...

本發(fā)明涉及納米光學(xué)與及光電器件領(lǐng)域，具體涉及一種基于超薄金屬膜的表面等離激元復(fù)合結(jié)構(gòu)及其制備方法。、表面等離激元（surface?plasmon?polaritons,?spps）是金屬與介質(zhì)界面處電子振蕩與電磁波耦合形成的表面波。由于spps具有亞波長尺度的電場局域性，在生化傳感、非線性...

本發(fā)明涉及光電集成，具體而言，涉及一種光電共封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。、光電共封裝是一種先進(jìn)的光通信技術(shù)，它的核心思想是將光引擎與電芯片高度集成在同一個(gè)封裝內(nèi)，以替代傳統(tǒng)可插拔光模塊的離散式架構(gòu)。然而，光引擎涵蓋的材料較多，包括磷化銦、砷化鎵和鈮酸鋰等等，其中，磷化銦的熱膨脹系數(shù)約為.?ppm...

本發(fā)明涉及光場調(diào)控，具體涉及基于臺階結(jié)構(gòu)的超表面器件及超快全息光場的產(chǎn)生系統(tǒng)。、近年來，時(shí)空渦旋（spatiotemporal?optical?vortices?,?stov）、時(shí)空渦環(huán)等新型時(shí)空光束的研究不斷發(fā)展。這類光場在超快光學(xué)調(diào)控、信息傳輸和高維度編碼等方面展現(xiàn)出獨(dú)特潛力。然而，現(xiàn)...

本發(fā)明涉及液晶材料。更具體地，涉及一種液晶面板及包含其的液晶顯示器件。、在液晶顯示，邊緣場開關(guān)（fringe?field?switching,?ffs）模式因其卓越的綜合性能而備受關(guān)注。相較于tn、va和ips模式，ffs技術(shù)通過邊緣電場的精準(zhǔn)調(diào)控，實(shí)現(xiàn)了更廣的視角、更高的對比度以...

本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種制造光刻掩模的方法以及非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)。、隨著ic技術(shù)不斷朝向更小的特征尺寸(例如nm、nm、nm及更小)發(fā)展，集成電路(integrated?circuit，ic)設(shè)計(jì)變得更具挑戰(zhàn)性。例如，當(dāng)制造ic元件時(shí)，ic元件的性能受到光刻適印能力(lithogra...

本發(fā)明涉及投影設(shè)備領(lǐng)域，例如線激光器和十字線激光器，并涉及一種用于檢查投影設(shè)備的方法及相應(yīng)的檢查設(shè)備。、線激光器和十字線激光器是廣泛應(yīng)用的工具，例如在建筑和室內(nèi)設(shè)計(jì)中用于實(shí)現(xiàn)精確測量和對準(zhǔn)。、投影一個(gè)光學(xué)標(biāo)記線的線激光器主要用于調(diào)平(nivellieren)、對準(zhǔn)和安裝元件。十字線激光器是...

本發(fā)明關(guān)于層疊體、層疊體的制造方法及圖案形成方法。、隨著iot市場的擴(kuò)大，lsi的高集成化、高速化及低消費(fèi)電力化被進(jìn)一步要求，且圖案規(guī)則的微細(xì)化也在急速進(jìn)展。尤其，邏輯器件正引領(lǐng)著微細(xì)化。就最先進(jìn)的微細(xì)化技術(shù)而言，arf浸潤式光刻的雙重圖案化、三重圖案化及四重圖案化所進(jìn)行的nm節(jié)點(diǎn)的器件的...

本公開涉及一種用于容置調(diào)色劑的盒。、通常，電子照相型成像設(shè)備通過將形成于感光鼓的表面上的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印至作為轉(zhuǎn)印介質(zhì)的轉(zhuǎn)印材料上來形成圖像。此外，作為顯影劑的供應(yīng)類型，例如，已知處理盒類型和調(diào)色劑供應(yīng)類型。處理盒類型是這樣的類型：其中感光鼓和顯影容器被一體地組裝成處理盒，并且在顯影劑用盡時(shí)...

本發(fā)明涉及通過有效捕捉vcm相機(jī)模組等不能包含異物的裝置中可能存在的異物來使所安裝的鏡頭不被污染的相機(jī)模組用防異物膠帶。、通常，安裝在移動電話、掌上電腦(pda)、數(shù)碼相機(jī)等的能夠精密拍攝事物的鏡頭應(yīng)滿足高像素的高畫質(zhì)條件，這樣的設(shè)備需要用于自動對焦畫像的裝置，例如，可以使用音圈電機(jī)(vc...

本申請實(shí)施例涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)和半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種電子束光刻劑量分布的確定方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)。、隨著人們對集成電路性能的要求不斷提高，導(dǎo)致集成電路的特征尺寸持續(xù)縮小且晶體管數(shù)量增多，從而導(dǎo)致掩膜版的圖形尺寸越來越小且日益密集。因此，在制造掩膜版的過程中，電子束在光刻膠的背散射...