本發(fā)明是關(guān)于鎓鹽、光酸產(chǎn)生劑、化學(xué)增幅抗蝕劑組成物及圖案形成方法。、伴隨lsi的高集成化及高速化,圖案規(guī)則的微細(xì)化正急速進(jìn)展。尤其,快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)的擴(kuò)大及記憶容量的增大化牽引著微細(xì)化。就最先進(jìn)的微細(xì)化技術(shù)而言,實(shí)施了利用arf光刻的nm節(jié)點(diǎn)器件的量產(chǎn),利用下一代的arf浸潤光刻的nm節(jié)點(diǎn)器...