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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料，具體涉及一種碳化硅-碳氮化硅-氮化硅復(fù)合薄膜及其制備方法。、公開該部分的信息僅僅旨在增加對(duì)本發(fā)明的總體背景的理解，而不必然被視為承認(rèn)或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已經(jīng)成為本領(lǐng)域一般技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。、薄膜材料被廣泛用于制造集成電路和微機(jī)電系統(tǒng)（mems）。...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，具體而言涉及一種mems器件及其制造方法。、mems(micro-electro-mechanical?system，微機(jī)電系統(tǒng))是指一種將機(jī)械構(gòu)件、驅(qū)動(dòng)部件、光學(xué)系統(tǒng)、電控系統(tǒng)集成為一個(gè)整體的微型系統(tǒng)。mems器件具有體積小、功耗低等優(yōu)勢(shì)，在智能手機(jī)、平板電腦、游戲機(jī)、...

本申請(qǐng)屬于超表面結(jié)構(gòu)單元加工領(lǐng)域，更具體地，涉及一種三維微納褶皺折紙的制備方法。、隨著微電子技術(shù)的不斷發(fā)展，三維彎曲結(jié)構(gòu)的應(yīng)用逐漸廣泛。相比于二維微納結(jié)構(gòu)，三維結(jié)構(gòu)具有更高的可控自由度，以及更小的體積等優(yōu)勢(shì)。例如在隱身超材料、負(fù)折射率超材料的設(shè)計(jì)、等離激元聚焦實(shí)現(xiàn)超透鏡或者光增強(qiáng)器件中，都...

本發(fā)明屬于mems多軸力傳感器的集成和封裝，具體涉及一種針對(duì)微型mems六軸力敏感芯片的封裝結(jié)構(gòu)和封裝方法。、基于微機(jī)電系統(tǒng)（micro-electro-mechanical?system，mems）技術(shù)研制的六軸力傳感器具有微型化、批量制造和低成本的顯著優(yōu)勢(shì)，在c精密裝配、機(jī)器人指尖和微...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種mems測(cè)試芯片的制備方法。、微機(jī)電系統(tǒng)（mems）器件的研發(fā)高度依賴于原型設(shè)計(jì)與性能驗(yàn)證。在此過程中，諸如懸臂梁、微橋、薄膜等包含可動(dòng)單元的結(jié)構(gòu)，其性能（如諧振頻率、機(jī)械響應(yīng)、可靠性）必須通過實(shí)驗(yàn)進(jìn)行精確測(cè)量。而實(shí)現(xiàn)這些結(jié)構(gòu)功能的前提，是成功為其制備釋放空腔...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，具體涉及一種三晶圓鍵合mems器件及其制備方法。、微電子機(jī)械系統(tǒng)（(micro?electro-mechanical?systems，mems）是一種集微型傳感器、執(zhí)行器以及信號(hào)處理和控制電路于一體的集成系統(tǒng)。其核心部分是利用微加工技術(shù)制作的微機(jī)械結(jié)構(gòu)，尺寸通常在微米級(jí)別...

本申請(qǐng)涉及晶圓劃片，尤其涉及一種晶圓級(jí)封裝產(chǎn)品、劃片方法、微機(jī)電系統(tǒng)和電子設(shè)備。、微機(jī)電系統(tǒng)（micro-electro-mechanical?systems?，mems）指在硅片上制造出的集成了微型微機(jī)械結(jié)構(gòu)與電子電路的器件，其常見產(chǎn)品包括加速度計(jì)、陀螺儀、壓力傳感器等。在微機(jī)電系統(tǒng)產(chǎn)品...

本發(fā)明涉及使用了微流體裝置的納米顆粒的制造方法。、作為藥物釋放系統(tǒng)（dds：drug?delivery?system，藥物釋放系統(tǒng)）中的載體、或者能夠用于醫(yī)藥品的納米顆粒的制造方法，已知使用了微流體裝置的制造方法。例如，專利文獻(xiàn)中記載了如下技術(shù)：通過使用微流體裝置將包含磷脂質(zhì)（dmpc：d...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造，具體涉及一種mems通孔結(jié)構(gòu)及其制備方法。、在微機(jī)電系統(tǒng)（mems）的制造中，硅深刻蝕是實(shí)現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵。業(yè)界長(zhǎng)期以來面臨著兩種各有顯著弊端的技術(shù)路線選擇：其一是深反應(yīng)離子刻蝕（drie）工藝，它能精確制造高深寬比的垂直結(jié)構(gòu)，但其等離子環(huán)境會(huì)引入氟、硫等副產(chǎn)物，導(dǎo)致...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體及其制備，具體是一種小尺寸低寄生電容esd器件及其制備方法。、隨著mems壓力傳感器、慣性傳感器等微機(jī)電系統(tǒng)器件向高靈敏度、小尺寸和片上高度集成方向發(fā)展，esd防護(hù)器件逐漸由封裝級(jí)或芯片外圍防護(hù)，轉(zhuǎn)向直接集成于mems傳感芯體內(nèi)部或其近鄰區(qū)域；然而，現(xiàn)有esd器件在與mem...

本發(fā)明屬于微納加工，具體涉及一種微納結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用。、光電子器件微小型化是大勢(shì)所趨，然而，現(xiàn)有的自上而下的微納加工方法嚴(yán)重制約了小型化量子器件的制備。雖然一些現(xiàn)有的自上而下加工工藝可以實(shí)現(xiàn)幾十納米級(jí)的加工，但獲得的微納結(jié)構(gòu)邊緣往往附帶有非常多的毛刺，且當(dāng)加工尺寸小于納米時(shí)，這些毛刺...

本發(fā)明涉及芯片制造，尤其涉及一種高抗擾mems懸臂梁光聲傳感芯片的制造方法。、高抗擾mems懸臂梁光聲傳感芯片的制造中，pi彈性膜與鍵合質(zhì)量是決定芯片成型精度、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性及抗擾性能的核心要素。pi彈性膜作為懸臂梁的關(guān)鍵柔性支撐與抗擾緩沖結(jié)構(gòu)，其制備質(zhì)量直接影響芯片成型完整性，良好的pi膜可...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，具體而言，涉及一種mems器件及其制備方法。、全耗盡型絕緣體上硅工藝（fdsoi，fully?depleted?silicon?on?insulator）制備的壓力傳感器因在高溫工作環(huán)境下的漏電流不會(huì)顯著增加而廣泛應(yīng)用于對(duì)傳感器高溫狀態(tài)下的性能有較高要求的工作領(lǐng)域。fds...

本發(fā)明屬于傳感器，具體涉及一種cmos-mems光學(xué)傳感器及其制備方法。、mems結(jié)構(gòu)一般具有與cmos結(jié)構(gòu)不一樣的制備工藝，當(dāng)需要將mems結(jié)構(gòu)與cmos結(jié)構(gòu)集成時(shí)因工藝不同，往往會(huì)先在兩片晶圓上分別制備mems結(jié)構(gòu)和cmos結(jié)構(gòu)，再通過封裝集成在一起。封裝方式包括先將mems結(jié)構(gòu)與cm...

本發(fā)明屬于微機(jī)電系統(tǒng)領(lǐng)域，具體涉及一種高深寬比碳微結(jié)構(gòu)電極陣列及其制備方法。、微機(jī)電系統(tǒng)中，微電池、電化學(xué)類微傳感器往往需要具有高深寬比的微結(jié)構(gòu)電極陣列。相較于平面二維電極，高深寬比的三維電極，可提高同投影面積下的反應(yīng)表面積，進(jìn)而提升器件的性能。、以鋰電池為例，其負(fù)極通常為石墨類材料。為提...

本技術(shù)涉及壓力傳感器，具體為一種壓力傳感器封裝結(jié)構(gòu)。、壓力傳感器的封裝主要分為mems晶圓級(jí)封裝、金屬焊接封裝、注塑成型和充油隔離封裝等，其中晶圓級(jí)封裝是一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，因其具有尺寸小、電性能優(yōu)良、散熱好、成本低等優(yōu)勢(shì)，近年來發(fā)展迅速。、現(xiàn)有的mems晶圓級(jí)封裝表壓力傳感器，由于封裝外...

本發(fā)明實(shí)施例涉及微機(jī)電系統(tǒng)，具體涉及一種用于mems器件的密封結(jié)構(gòu)及其制備方法。、微機(jī)電系統(tǒng)（micro?electromechanical?system，以下簡(jiǎn)稱“mems”）是集微傳感器、微執(zhí)行器、微機(jī)械結(jié)構(gòu)、微電源微能源、信號(hào)處理和控制電路、高性能電子集成器件、接口、通信等于一體的微...

本申請(qǐng)涉及mems芯片，特別涉及mems芯片、mems芯片的制作方法、傳感器及電子設(shè)備。、傳感器是一種將外界信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的精密微型器件，其核心原理是利用外界信號(hào)的變化引起機(jī)械結(jié)構(gòu)的位移，進(jìn)而改變電容值，轉(zhuǎn)化為電信號(hào)被檢測(cè)到。對(duì)于壓力傳感器而言，就是將外界聲壓信號(hào)轉(zhuǎn)化為mems芯片敏感膜...

本發(fā)明涉及控制器件，具體涉及一種mems控制器及mems器件。、mems(micro-electro-mechanical?system，稱為微電子機(jī)械系統(tǒng)或微系統(tǒng))是尺寸在幾毫米乃至更小的裝置，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級(jí)。mems基于微電子技術(shù)(半導(dǎo)體制造技術(shù))發(fā)展而來，融合了光刻...

本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng)制造，具體涉及一種電場(chǎng)傳感器場(chǎng)增強(qiáng)蓋板及其制備方法，尤其適用于晶圓級(jí)真空封裝與電場(chǎng)增敏結(jié)構(gòu)的集成制造。、電場(chǎng)探測(cè)在航空航天、氣象、電力、危化、工業(yè)生產(chǎn)等領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。采用微機(jī)電系統(tǒng)（mems）方式研制的各類電場(chǎng)傳感器具有體積小、重量輕、成本低的特點(diǎn)，因此成為了電...