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微觀裝置的制造及其處理技術(shù)
  • 一種紅外探測(cè)器及其封裝方法與流程
    本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,特別是涉及一種紅外探測(cè)器及其封裝方法。、紅外輻射是波長(zhǎng)介于可見(jiàn)光和微波之間的電磁波,所有溫度高于絕對(duì)零度(-.℃)的物體都會(huì)向外輻射紅外線。紅外探測(cè)器通過(guò)捕獲紅外輻射信號(hào)并將其轉(zhuǎn)變成電信號(hào)輸出,實(shí)現(xiàn)對(duì)物體的溫度和形貌的檢測(cè)。、目前的紅外探測(cè)器,在硅基晶圓上制作mems...
  • 一種基于MEMS工藝的超快速熔斷保險(xiǎn)絲器件及其制備方法與流程
    本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng)原件制造的,具體而言,涉及一種基于mems工藝的超快速熔斷保險(xiǎn)絲器件及其制備方法。、在電子電路系統(tǒng)中,保險(xiǎn)絲作為一種最基本、最重要的過(guò)流保護(hù)元件,其作用是在電流超過(guò)預(yù)定閾值時(shí),通過(guò)自身熔斷來(lái)切斷電路,從而保護(hù)后續(xù)昂貴的核心電路免于燒毀損壞。、傳統(tǒng)中的保險(xiǎn)絲歷經(jīng)多...
  • 一種介質(zhì)隔離雙極IC和壓阻MEMS器件的單片集成方法與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體和mems器件,尤其是一種介質(zhì)隔離雙極ic和壓阻mems器件的單片集成方法。、在“新摩爾定律(more-than-moore)”驅(qū)動(dòng)下,mems器件正從二維平面結(jié)構(gòu)向三維立體架構(gòu)演進(jìn),以實(shí)現(xiàn)更高性能。ic-mems單片集成技術(shù)是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的關(guān)鍵路徑,已在部分領(lǐng)域量產(chǎn)。、傳...
  • MEMS電場(chǎng)傳感器的批量封裝治具、應(yīng)用方法及封裝設(shè)備與流程
    本發(fā)明涉及電場(chǎng)傳感器封裝,尤其是一種mems電場(chǎng)傳感器的批量封裝治具、應(yīng)用方法及封裝設(shè)備。、mems電場(chǎng)傳感器主要應(yīng)用于國(guó)防、航空、航天、氣象、石油化工、靜電等領(lǐng)域,并在上述領(lǐng)域均是發(fā)揮了及其重要的作用。、mems電場(chǎng)傳感器的封裝工藝是影響mems電場(chǎng)傳感器實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù),近年來(lái)倍受關(guān)注...
  • 一種基于MEMS器件的環(huán)形束流散熱裝置的制作方法
    本發(fā)明涉及散熱裝置,尤其涉及一種基于mems器件的環(huán)形束流散熱裝置。、隨著g、ai、電動(dòng)汽車、航空航天等領(lǐng)域的快速發(fā)展,電子設(shè)備(如芯片、儲(chǔ)能電池、衛(wèi)星等)的尺寸不斷縮小,但功能卻日益增強(qiáng),導(dǎo)致單位面積的熱量急劇增加。例如,ai芯片的局部熱流密度可達(dá)?w/cm2以上,遠(yuǎn)超傳統(tǒng)散熱技術(shù)的極限...
  • 一種磁力計(jì)用微型原子氣室及其制造方法與流程
    本發(fā)明屬于光學(xué)與量子傳感,具體涉及一種磁力計(jì)用微型原子氣室,以及其制造方法。、微型原子氣室作為量子傳感器的核心部件,其性能受多種因素影響,其中堿金屬原子與腔體壁面的非彈性碰撞和表面吸附是導(dǎo)致原子自旋弛豫、信號(hào)衰減和長(zhǎng)期漂移的主要原因之一。傳統(tǒng)玻璃或硅基氣室內(nèi)壁為親性表面,易造成銣、銫等原子...
  • 基于激光焊接的高溫MEMS器件引線裝置及方法與流程
    本發(fā)明屬于mems引線,涉及一種基于激光焊接的高溫mems器件引線裝置及方法。、微機(jī)電系統(tǒng)(mems)技術(shù)作為一種前沿技術(shù),借助微納加工工藝,成功實(shí)現(xiàn)了機(jī)械結(jié)構(gòu)、傳感器、執(zhí)行器與電子電路在單片上的集成。這一創(chuàng)新技術(shù)具備諸多顯著優(yōu)勢(shì),其產(chǎn)品微型化程度高,能有效節(jié)省空間;功耗極低,符合節(jié)能環(huán)保...
  • 一種MEMS傳感器及其空腔結(jié)構(gòu)的制備方法與流程
    本申請(qǐng)涉及微電子機(jī)械系統(tǒng)加工工藝,具體涉及一種mems傳感器及其空腔結(jié)構(gòu)的制備方法。、在mems壓阻式壓力傳感器中空腔結(jié)構(gòu)可使形變更顯著,從而提升傳感器的靈敏度??涨唤Y(jié)構(gòu)通常由濕法腐蝕或干法刻蝕等工藝形成。各向同性濕法腐蝕由于腐蝕速率在各個(gè)方向接近一致,容易對(duì)薄硅膜產(chǎn)生過(guò)度腐蝕,難以實(shí)現(xiàn)對(duì)...
  • 具有鉸鏈層級(jí)致動(dòng)的非接觸式微機(jī)電系統(tǒng)裝置的制作方法
    本公開(kāi)大體上涉及微機(jī)電,且特定來(lái)說(shuō)涉及一種具有鉸鏈層級(jí)致動(dòng)的非接觸式微機(jī)電系統(tǒng)裝置。、一些微機(jī)電系統(tǒng)(microelectromechanical?system,mems)裝置在例如數(shù)字微鏡裝置(digitalmicromirror?device,dmd)等空間光調(diào)制器(spatial?l...
  • 一種晶圓鍵合方法與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造,特別是涉及一種晶圓鍵合方法。、在微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)中,結(jié)合高深寬比硅刻蝕技術(shù)與微電子工藝,能夠?qū)崿F(xiàn)一系列新型傳感器和執(zhí)行器的結(jié)構(gòu),如mems麥克風(fēng)、揚(yáng)聲器、壓力傳感器及加速度計(jì)等器件,其功能實(shí)現(xiàn)依賴于微腔體和高深寬比的微結(jié)構(gòu)背板(如振膜)的構(gòu)造,以完成振動(dòng)信號(hào)與電信號(hào)之間...
  • 一種MEMS器件及其制備方法與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件,具體涉及一種mems器件及其制備方法。、mems(micro-electro-mechanical?systems,微機(jī)電系統(tǒng))器件因其微型化、集成化和高靈敏度等特點(diǎn),已在智能汽車、醫(yī)療電子、消費(fèi)電子及工業(yè)控制等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而,mems器件的制造過(guò)程中仍面臨多...
  • 掃描探針制備和表征裝置的制作方法
    本發(fā)明涉及微納,具體地,涉及一種掃描探針制備和表征裝置。、微納涵蓋了對(duì)微納元件的刻蝕、組裝、形貌掃描、檢測(cè)等諸多工藝,例如,以刻蝕為例,通過(guò)納米級(jí)尺度的掃描探針尖端與樣品發(fā)生作用,從而在樣品上刻蝕所需要的圖案。在對(duì)微納元件進(jìn)行形貌掃描時(shí),掃描探針在微納元件成品上掃描獲取形貌信息,以...
  • 一種晶圓級(jí)多腔熔封蓋板的制作方法
    本技術(shù)涉及電子封裝領(lǐng)域,具體是一種晶圓級(jí)多腔熔封蓋板。、在氣密性濾加速度計(jì)、慣性陀螺等mems芯片需要采用真空氣密性封裝,采用陶瓷外殼和金屬蓋板來(lái)實(shí)現(xiàn)真空封裝,存在封裝體積大、重量大的問(wèn)題,正逐漸被淘汰,晶圓級(jí)封裝是當(dāng)前主流。、當(dāng)前晶圓級(jí)真空封裝基本采用高溫硅熔鍵合(℃~℃)、金、金硅或低...
  • 一種介質(zhì)隔離雙極IC和壓阻MEMS器件的單片集成結(jié)構(gòu)的制作方法
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體和ic-mems集成,尤其是一種介質(zhì)隔離雙極ic和壓阻mems器件的單片集成結(jié)構(gòu)。、mems(micro-electro-mechanical?systems,即微機(jī)電系統(tǒng))器件依托先進(jìn)的微納加工技術(shù),在硅或兼容半導(dǎo)體襯底上構(gòu)筑可動(dòng)微結(jié)構(gòu)——諧振梁、梳齒、質(zhì)量塊等。當(dāng)外界慣...
  • 一種用于量子傳感的高密封微型原子氣室及其制造方法與流程
    本發(fā)明屬于光學(xué)與量子傳感,具體涉及一種用于量子傳感的高密封微型原子氣室,以及其制造方法。、在量子精密測(cè)量中,原子氣室是核心敏感元件,用于容納堿金屬原子(如銣、銫)蒸氣和緩沖氣體。隨著量子器件向小型化、低功耗、高集成度方向發(fā)展,傳統(tǒng)玻璃吹制氣室因體積大、難以集成而受限;基于硅基mems工藝的...
  • 傳感器玻璃蓋板的等離子體活化原子級(jí)鍵合方法及系統(tǒng)與流程
    本發(fā)明涉及微電子制造中的表面處理,具體而言,涉及一種傳感器玻璃蓋板的等離子體活化原子級(jí)鍵合方法及系統(tǒng)。、隨著微電子機(jī)械系統(tǒng)(mems)與光學(xué)傳感器市場(chǎng)的飛速擴(kuò)張,對(duì)其核心部件——傳感器玻璃蓋板的封裝要求日益嚴(yán)苛,尤其是需要實(shí)現(xiàn)高強(qiáng)度、高氣密性及低應(yīng)力的原子級(jí)鍵合。等離子體活化作為一種高效的...
  • 一種用于MEMS芯片的小型化TO封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
    本技術(shù)涉及芯片封裝,尤其涉及一種用于mems芯片的小型化to封裝結(jié)構(gòu)。、to封裝結(jié)構(gòu)是一種常見(jiàn)的電子元件封裝形式,最初主要用于晶體管封裝,后來(lái)也廣泛應(yīng)用于二極管和集成電路電子元件,它由金屬或陶瓷材料制成,外形多為圓形或矩形,具有特定數(shù)量的引腳。、經(jīng)檢索,中國(guó)專利公告號(hào)為:cnu,公開(kāi)了一種...
  • 一種真空微腔干涉儀芯片及高靈敏度光學(xué)壓力傳感器的制作方法
    本發(fā)明涉及光電中的傳感器,具體涉及一種真空微腔干涉儀芯片及高靈敏度光學(xué)壓力傳感器。、壓力傳感器,是指能感受氣體、液體等流體介質(zhì)壓力信號(hào),并能按照一定的規(guī)律將壓力信號(hào)轉(zhuǎn)換成可用的輸出的電信號(hào)或光信號(hào)的器件或裝置。壓力傳感器是工業(yè)實(shí)踐中最為常用的一種傳感器,其廣泛應(yīng)用于水利水電、鐵路交通、智能...
  • 用于制造MEMS器件的平面外旋轉(zhuǎn)止檔的設(shè)計(jì)和方法與流程
    本發(fā)明涉及用于mems器件中的平面外旋轉(zhuǎn)止檔設(shè)計(jì)以及用于制造此類設(shè)計(jì)的方法。、微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?system,mems)是微觀器件技術(shù),這類器件結(jié)合了電氣部件和運(yùn)動(dòng)部件。mems通常由尺寸介于微米至微米之間的組件構(gòu)成,而mems器件的尺寸通常在微...
  • 非射頻壓電聲學(xué)器件及耳機(jī)的制作方法
    本申請(qǐng)涉及微機(jī)電器件,具體而言,涉及一種非射頻壓電聲學(xué)器件及耳機(jī)。、微機(jī)電系統(tǒng)(micro?electromechanical?system,mems)的壓電聲學(xué)器件主要由壓電單元和專用集成電路(?application-specific?integrated?circuit?,asic)...
技術(shù)分類