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本發(fā)明涉及一種微機電結(jié)構(gòu)元件。、由現(xiàn)有技術已知微機電結(jié)構(gòu)元件。這些結(jié)構(gòu)元件可以例如構(gòu)型為微機電的揚聲器或構(gòu)型為微機電的麥克風。在這些結(jié)構(gòu)元件中可以設置可運動的膜片，所述膜片可以被驅(qū)動并且產(chǎn)生聲波或者所述膜片通過入射的聲波而運動并且該運動可以被作為信號讀出。膜片可以實施為平面結(jié)構(gòu)，其中，如此...

本公開的實施例涉及基于微機電系統(tǒng)(mems)的器件和用于制造基于mems的器件的方法。更具體地，實施例涉及mems傳感器或mems致動器的領域，例如mems聲換能器(mems麥克風或mems揚聲器)、mems壓力傳感器，mems氣體傳感器，mems環(huán)境傳感器，或者具有通過在mems器件的功能元件的...

本申請實施例涉及微機電，尤其涉及一種微機電系統(tǒng)mems器件和激光設備。、微機電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?system，mems)器件，即通過mems技術加工制造的器件。、在mems器件工作時，由于mems器件需要按某些特定的運動軌跡運動，此時開環(huán)控制并不能滿足...

本發(fā)明是關于提高微流道結(jié)構(gòu)深寬比、成品率、使用壽命的先進制造技術，特別是關于一種超薄壁高深寬比微型化學反應芯片的制造方法。、微型化學反應器具有尺寸小、反應效率高、反應充分等優(yōu)勢，在微細化工、生物醫(yī)藥、發(fā)酵培養(yǎng)等領域應用廣泛，其原理是讓反應原料高速流過微型化學反應芯片。微型化學反應芯片上布有...

本發(fā)明屬于半導體微納結(jié)構(gòu)制備，具體涉及一種直接基于硅襯底的鍺硅準懸浮微環(huán)及其制備方法。、硅基光電一體化集成，用光信號代替電信號作為信息載體，可以有效解決微電子集成芯片能量消耗大、信息傳輸速度低、信號干擾等問題。目前制約光電一體化集成發(fā)展的主要因素是缺乏高性能光源。由于微電子集成的基石硅基材...

本發(fā)明涉及晶圓的，它涉及一種mems晶圓腐蝕厚度監(jiān)控及腐蝕工藝評估方法。、硅基mems器件的制造是一個復雜的多步驟集成過程，其中涉及光刻、刻蝕（包括干法和濕法）、薄膜沉積、清洗等關鍵工序。特別是對于壓阻式壓力傳感器等高精度mems產(chǎn)品，其性能（如靈敏度、精度）對作為傳感膜或結(jié)構(gòu)支撐體的硅膜...

本申請涉及電子產(chǎn)品，更具體地，涉及一種壓力傳感器、其制備方法及電子設備。、在傳感器，微機電系統(tǒng)(micro-electro-mechanicalsystems，簡稱mems)差壓傳感器作為一類重要的感知器件，廣泛應用于工業(yè)控制、汽車電子、醫(yī)療設備以及消費電子等眾多領域，用于精確測量...

本發(fā)明的是機電系統(tǒng)的，尤其是微機電系統(tǒng)(microelectromechanical?system，mems)或納米機電系統(tǒng)(nanoelectromechanicalsyste，nems)類型的機電系統(tǒng)的。本發(fā)明更具體地涉及一種機電系統(tǒng)，該機電系統(tǒng)包括可移動元件、電容式測量或致動裝置以及用于在可...

本申請涉及一種用于微機電系統(tǒng)（mems）的機械振蕩的驅(qū)動設備、一種根據(jù)前述權利要求中的一項的驅(qū)動設備與可機械振蕩的微機電系統(tǒng)的組合、一種包含根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動設備或根據(jù)本發(fā)明的組合的眼鏡設備，以及一種用于驅(qū)動微機電系統(tǒng)、特別是mems掃描儀的方法。、待諧振驅(qū)動的mems、特別是mems掃描儀...

本發(fā)明涉及柔性器件，尤其涉及一種多層柔性電極、基于多層柔性電極的陣列器件及制備方法。、柔性陣列器件因具備可彎曲、可貼合復雜曲面的優(yōu)點，在醫(yī)療診斷、工業(yè)無損檢測及消費電子等領域展現(xiàn)出廣闊應用前景；柔性陣列器件核心性能指標（如能量密度、信號分辨率）的提升，高度依賴于電極結(jié)構(gòu)的精密加工，柔性電極...

本發(fā)明涉及微機電系統(tǒng)器件，特別涉及一種基于son和硅外延工藝的pmut制備方法及pmut。、壓電式微機械超聲波換能器(pmut)作為一種重要的微機電系統(tǒng)(mems)器件，憑借體積小、功效低、集成度高等優(yōu)點，在眾多領域得到了廣泛關注和應用。、傳統(tǒng)的pmut制備通常采用正面犧牲層工藝和背面深硅...

本發(fā)明涉及一種根據(jù)主權利要求所述的用于由具有鋁盈余的氮化鋁來制造具有在兩側(cè)暴露的膜區(qū)段的器件的方法和設備。、從kr?--?a已知由aln、bn或石英制成的膜。從kr?--a已知具有例如由aln制成的金屬氮化物層的相移掩膜。從kr?--?a已知另一種由aln制成的膜、以及具有這種膜的器件。、...

本公開總體上涉及mems結(jié)構(gòu)的校準。更具體地，本公開的方面涉及一種精確錨定系統(tǒng)，其允許mems結(jié)構(gòu)以預定取向部署和鎖定。、微機電系統(tǒng)(micro-electromechanical?systems，mems)是包含電子器件和物理運動部件的微型器件。典型的mems器件使用集成電路技術在一個或...

本發(fā)明屬于微納加工與強化相變，具體涉及一種硅基分區(qū)微納復合強化沸騰換熱結(jié)構(gòu)及其制備方法。、隨著微機電加工技術的進步，電子設備日益小型化且功率密度持續(xù)攀升，導致表面溫度急劇升高，嚴重威脅設備的壽命與穩(wěn)定運行。因此，電子設備的熱管理成為目前亟待解決的問題。、沸騰換熱由于氣泡產(chǎn)生與脫離引發(fā)的強烈...

本發(fā)明涉及半導體制造，尤其涉及一種電容式mems器件及其制造方法。、電容式mems器件(mems指的是微機電系統(tǒng)，為micro?electro?mechanical?system的縮寫。是一種基于電容傳感或驅(qū)動原理的微型化器件，結(jié)合了微電子技術和微機械加工技術。其核心是通過檢測或控制電容變...

本發(fā)明涉及半導體，具體涉及一種mems器件及其制作方法。、mems器件會需求一個高真空的工作環(huán)境，例如慣性傳感器的陀螺儀，只有在高真空環(huán)境下，才能滿足其振動頻率、靈敏度和噪聲等性能參數(shù)的要求。但在實際的制造工藝中，會不可避免的存在一些材料或殘留物的放氣現(xiàn)象，這就會導致真空度的降低。、為了提...

本申請屬于芯片封裝，尤其是涉及一種數(shù)字芯片與mems芯片的兼容封裝方法。、在現(xiàn)代電子設備中，數(shù)字芯片和mems(微機電系統(tǒng))芯片的應用越來越廣泛。數(shù)字芯片具有強大的數(shù)據(jù)處理和控制能力，而mems芯片則在傳感器、執(zhí)行器等領域發(fā)揮著關鍵作用。將這兩種芯片集成在一個封裝內(nèi)，可以實現(xiàn)功能的高度集成...

本發(fā)明涉及mems氣流傳感器領域，具體涉及一種氣流傳感器測試結(jié)構(gòu)及封裝方法、封裝結(jié)構(gòu)。、在氣流傳感器市場，基于微機電系(micro-electro-mechanicalsystem，mems)制造的mems芯片氣流傳感器產(chǎn)品日益被市場接受，mems芯片主要包括振膜與背板，并且振膜與背板之間...

本發(fā)明涉及一種用于制造應用于生物受試者的貼片的方法，在一個特定示例中，涉及一種制造微結(jié)構(gòu)貼片的方法，該微結(jié)構(gòu)貼片用于對生物受試者進行測量或向生物受試者遞送治療或刺激。、本說明書中對任何現(xiàn)有出版物(或由其得到的信息)或任何已知事項的引用不是且不應被視為認可或承認或任何形式的暗示現(xiàn)有出版物(或...

本發(fā)明涉及微機電系統(tǒng)，尤其涉及一種mems微鏡的制備系統(tǒng)和制備方法。、隨著微機電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?systems，mems)技術的快速發(fā)展，mems微鏡器件在雷達、圖像投影、增強現(xiàn)實(ar)/虛擬現(xiàn)實(vr)以及光通訊等領域展現(xiàn)出廣泛的應用前景。、然而...