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本發(fā)明涉及納米孔陣列制造，更具體地，涉及一種硅納米孔陣列的制備方法及其應(yīng)用。、硅納米孔陣列由于其高穩(wěn)定性、長(zhǎng)使用壽命以及與半導(dǎo)體和微流體技術(shù)的優(yōu)異兼容性，被廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域，如生物醫(yī)學(xué)、環(huán)境檢測(cè)、化學(xué)合成以及能源儲(chǔ)存與轉(zhuǎn)換。這些領(lǐng)域?qū)讖酱笮『托螒B(tài)有特定要求，因此需要精確、可擴(kuò)展且經(jīng)濟(jì)高...

本發(fā)明屬于微電子，更具體地，涉及一種微機(jī)械諧振器圓片級(jí)真空封裝方法、微機(jī)械諧振器。、微機(jī)械諧振器因具有體積小、重量輕、功耗低、響應(yīng)速度快、易于集成、可批量制造等顯著優(yōu)勢(shì)，在通信、精準(zhǔn)時(shí)鐘源、生物/化學(xué)傳感、精密測(cè)量（如原子力顯微鏡探頭）等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力，成為傳統(tǒng)石英晶體諧振器等器...

本公開(kāi)涉及脈沖激光照射技術(shù)，并且更具體地涉及用于膜通氣孔的激光密封的激光密封和表面微凸體控制方法，其中膜可以由硅形成，并且該方法使用受控的凝固冷卻速率。、已經(jīng)提出了一種脈沖激光照射技術(shù)，用于密封通氣孔開(kāi)口以在慣性測(cè)量單元(imu)中形成密封區(qū)，以捕獲器件內(nèi)的關(guān)鍵傳感器腔體壓力。通氣孔通過(guò)硅...

本發(fā)明屬于壓力傳感器封裝，具體涉及一種mems平膜壓力芯片直測(cè)無(wú)引線可拆卸封裝結(jié)構(gòu)。、在mems壓力傳感器領(lǐng)域，平膜壓力芯片將焊盤(pán)設(shè)計(jì)在芯片背面，同時(shí)襯底材料中部開(kāi)設(shè)通孔保證焊盤(pán)外露，芯片正面可全部用于感壓敏感結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。與常規(guī)壓力芯片將金屬焊盤(pán)置于正面相比，平膜壓力芯片的耐環(huán)境性能優(yōu)異，不...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種mems器件的制備方法及mems器件。、在半導(dǎo)體加工過(guò)程中，刻蝕工藝是其中一道至關(guān)重要的工藝制程，通過(guò)刻蝕工藝可將膜層中不需要的部分去除，從而圖形化膜層以定義出所需要的圖案。其中，刻蝕工藝一般包括干法刻蝕工藝和濕法刻蝕工藝，濕法刻蝕工藝通常為各向同性刻蝕，其具...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，尤其涉及一種單片集成芯片及其制備方法。、mems致動(dòng)器是以mems技術(shù)為基礎(chǔ)制造的微型致動(dòng)器，從致動(dòng)方式上可分為壓電、電熱、靜電、電磁等技術(shù)；其中壓電技術(shù)因?yàn)槠涓呔?、高可靠性、耐電磁干擾、功耗低等優(yōu)勢(shì)受到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用；目前的mems壓電型致動(dòng)器主要應(yīng)用于諸如噴墨打印...

本發(fā)明涉及一種微機(jī)械裝置和一種用于制造微機(jī)械裝置的方法，該微機(jī)械裝置具有mems基底和罩基底以及被mems基底與罩基底包圍的空穴。、本發(fā)明基于具有mems基底和罩基底的微機(jī)械裝置和用于制造微機(jī)械裝置的方法。這種類型的微機(jī)械裝置和用于制造微機(jī)械裝置的方法是已知的，其中，該微機(jī)械裝置具有傳感器...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種son結(jié)構(gòu)的制備方法及mems器件。、son(silicon?on?nothing，懸空硅)結(jié)構(gòu)通過(guò)特殊加工技術(shù)在襯底上方形成薄膜，并在薄膜下方構(gòu)建一個(gè)密閉的空腔。這種結(jié)構(gòu)與微機(jī)電系統(tǒng)(micro?electro?mechanicalsystem，mems)...

本發(fā)明涉及納米光子學(xué)領(lǐng)域，并且具體而言涉及基于平面衍射光學(xué)元件的投影光學(xué)裝置，并且可用于在形成虛擬、增強(qiáng)或擴(kuò)展現(xiàn)實(shí)（vr/ar/xr）時(shí)在視場(chǎng)中創(chuàng)建物體的虛擬圖像，還可用于形成其他光學(xué)元件，例如光學(xué)微分器、透鏡、光學(xué)物鏡等。、現(xiàn)有技術(shù)公開(kāi)了一種用于形成增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（ar）的光學(xué)裝置，其包含采取...

本發(fā)明涉及mems傳感器，具體而言，涉及一種基于鐃鈸結(jié)構(gòu)的mems傳感器及其制備方法。、微機(jī)電系統(tǒng)（mems）傳感器中引入鐃鈸結(jié)構(gòu)可顯著提升力學(xué)響應(yīng)效率。該結(jié)構(gòu)通過(guò)將軸向載荷轉(zhuǎn)化為壓電材料的徑向應(yīng)變，大幅提高機(jī)電轉(zhuǎn)換靈敏度。以水聽(tīng)器為例，傳統(tǒng)懸臂梁結(jié)構(gòu)的水聽(tīng)器易因密封失效導(dǎo)致聲壓響應(yīng)衰減，...

本申請(qǐng)涉及在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)集成電路內(nèi)形成的高頻超聲換能器。、超聲換能器和傳感器是聲學(xué)設(shè)備，該設(shè)備分為三大類：發(fā)射器、接收器和收發(fā)器。發(fā)射器將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為超聲，接收器將超聲轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，并且收發(fā)器既可以發(fā)射也可以接收超聲。、超聲換能器用于通過(guò)解釋反射的信號(hào)(類似于雷達(dá))來(lái)評(píng)...

本發(fā)明涉及玻璃刻蝕，特別涉及一種微流控輔助的玻璃微通道濕法刻蝕加工裝置與方法。、玻璃微通道具有很多優(yōu)越的性能，在微機(jī)電器件和傳感器等中具有廣泛的應(yīng)用前景。玻璃微通道的制備方法可分為干法刻蝕方法和濕法刻蝕方法。干法刻蝕方法主要包括離子束刻蝕（ibe）、反應(yīng)離子刻蝕（rie）和電感耦合等離子體...

本發(fā)明涉及微結(jié)構(gòu)加工，尤其涉及一種以光刻-電鍍-組裝工藝制備微結(jié)構(gòu)的方法。、微結(jié)構(gòu)加工技術(shù)是mems（微機(jī)電系統(tǒng)）領(lǐng)域中常用的器件制造技術(shù)，常常采用半導(dǎo)體行業(yè)的微納加工工藝方法。這些工藝包括薄膜生長(zhǎng)、光刻、刻蝕、電鍍、激光加工、濕法腐蝕、鍵合等過(guò)程的制造工藝。而mems器件往往具有一定的立...

本發(fā)明涉及傳感器封裝，具體為一種三軸傳感器芯片封裝結(jié)構(gòu)及方法。、傳統(tǒng)三軸傳感器通常采用分立式mems芯片組合或單芯片集成方案，前者存在體積大、正交性校準(zhǔn)困難、信號(hào)串?dāng)_嚴(yán)重等問(wèn)題，后者則受限于工藝復(fù)雜度高、成本昂貴且靈活性不足，現(xiàn)有封裝技術(shù)多采用塑料或金屬外殼，難以兼顧機(jī)械強(qiáng)度與環(huán)境隔離性能...

本發(fā)明涉及微觀結(jié)構(gòu)封裝，更具體地說(shuō)，涉及一種壓力傳感器封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法。、絕對(duì)壓力傳感器能夠測(cè)量相對(duì)于真空參考的壓力值，廣泛應(yīng)用于航空航天、氣象監(jiān)測(cè)、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域。其核心特點(diǎn)是具備真空參考腔，以確保測(cè)量不受環(huán)境大氣壓波動(dòng)的影響。、傳統(tǒng)真空腔依賴晶圓級(jí)鍵合，如硅-玻璃...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，具體涉及一種雙面微結(jié)構(gòu)器件及其制備方法。、隨著mems(micro-electro-mechanical?system)技術(shù)的發(fā)展，微電子技術(shù)與機(jī)械、光學(xué)等領(lǐng)域逐步交叉融合，可以形成具有雙面微結(jié)構(gòu)的mems器件，具體可以用于制備如mems微鏡、氣體流量傳感...

本發(fā)明涉及微光機(jī)電，尤其涉及一種可電控吸附顆粒物的紅外探測(cè)器及其制造方法。、在紅外探測(cè)器的高可靠性封裝領(lǐng)域，如何有效控制封裝腔體內(nèi)顆粒物始終是制約器件良率與長(zhǎng)期穩(wěn)定性的核心挑戰(zhàn)。隨著第三代半導(dǎo)體材料與微納加工技術(shù)的進(jìn)步，紅外探測(cè)器逐步向更小像素尺寸（如μm×μm以下）與更高集成度演進(jìn)，其內(nèi)...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體封裝，尤其是涉及一種半導(dǎo)體封裝組件、mems探測(cè)器及電子設(shè)備。、隨著微機(jī)電系統(tǒng)(mems)技術(shù)的快速發(fā)展，mems器件在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。mems器件需要進(jìn)行真空封裝，真空封裝成為保護(hù)mems器件、提高其穩(wěn)定性和可靠性的關(guān)鍵技術(shù)，可以確保mems器件的高性能和長(zhǎng)期使用...

本申請(qǐng)屬于mems器件，尤其涉及一種雙層微測(cè)輻射熱計(jì)的制備方法及應(yīng)用。、mems器件是通過(guò)半導(dǎo)體工藝制造的微型智能系統(tǒng)，可將傳感、執(zhí)行、信號(hào)處理等功能集成于單一芯片，在消費(fèi)電子、汽車工業(yè)、安防等多個(gè)領(lǐng)域應(yīng)用廣泛；如基于壓電效應(yīng)的mems麥克風(fēng)，基于壓阻效應(yīng)的汽車胎壓傳感器以及基于熱效應(yīng)的微...

本技術(shù)涉及傳感器集成，尤其涉及一種mems傳感器封裝結(jié)構(gòu)。、基于微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?system，mems)制造的器件被稱為mems器件，將mems器件作為傳感器是其應(yīng)用方向之一。mems傳感器通常包括mems傳感器芯片和相應(yīng)的專用集成電路(app...