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本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，具體涉及一種mems的疊層金屬凸點(diǎn)的制備方法。、微機(jī)電系統(tǒng)（mems）具有微小的立體結(jié)構(gòu)，是處理各種輸入、輸出信號(hào)的系統(tǒng)的統(tǒng)稱(chēng)，是集微傳感器、微執(zhí)行器、微機(jī)械結(jié)構(gòu)、微電源微能源、信號(hào)處理和控制電路、高性能電子集成器件、接口、通信等于一體的微型器件或系統(tǒng)。mems的金屬凸點(diǎn)...

本發(fā)明涉及微電子制造，尤其涉及一種微電子器件及其制備方法。、在微電子器件，尤其是微機(jī)電系統(tǒng)的制造過(guò)程中，圖形化工藝是實(shí)現(xiàn)多層薄膜結(jié)構(gòu)的核心環(huán)節(jié)?，F(xiàn)有微電子制造技術(shù)通常采用多層光罩工藝，即每一層膜層的圖形化均需依賴(lài)單獨(dú)的光罩，通過(guò)重復(fù)進(jìn)行光刻、顯影、刻蝕等步驟來(lái)完成多層結(jié)構(gòu)的構(gòu)建。雖然該工藝...

本發(fā)明大體上涉及mems(微機(jī)電系統(tǒng))傳感器，并且更特別地涉及利用現(xiàn)有mems傳感器結(jié)構(gòu)感測(cè)多個(gè)物理參數(shù)的mems傳感器。、mems傳感器是將一起工作以執(zhí)行特定功能(通常包括感測(cè)和致動(dòng)任務(wù))的機(jī)械和電子部件組合起來(lái)的小型設(shè)備?？梢允褂眉呻娐?ic)分批處理技術(shù)制造這些設(shè)備，并且尺寸范圍可...

本發(fā)明屬于壓力芯片壓力測(cè)試領(lǐng)域，具體涉及一種適用于mems平膜壓力芯片的直測(cè)封裝結(jié)構(gòu)。、在mems壓力傳感器領(lǐng)域，平膜壓力芯片將焊盤(pán)設(shè)計(jì)在芯片背面，同時(shí)襯底材料中部開(kāi)通孔保證焊盤(pán)外露，芯片正面可全部用于感壓敏感結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。與常規(guī)壓力芯片將金屬焊盤(pán)置于正面相比，平膜壓力芯片的耐環(huán)境性能優(yōu)異，不...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種mems壓阻式表壓壓力傳感器的制備方法。、mems（微電子機(jī)械系統(tǒng)）技術(shù)在近年來(lái)得到了廣泛的應(yīng)用，其在傳感器、執(zhí)行器以及微系統(tǒng)等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的潛力和優(yōu)勢(shì)。硅基mems壓力傳感器作為mems傳感器的一個(gè)重要分支，由于其具有體積小、精度高、響應(yīng)速度快、穩(wěn)定性好...

本發(fā)明涉及傳感器，特別涉及一種基于全高溫陶瓷材料的超高溫mems傳感器封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。、隨著微電子技術(shù)的快速發(fā)展，微機(jī)電系統(tǒng)(mems)傳感器已廣泛應(yīng)用于航空航天、汽車(chē)、工業(yè)控制、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域。然而，mems傳感器在高溫等惡劣環(huán)境下的工作穩(wěn)定性仍面臨諸多挑戰(zhàn)，這尤其體現(xiàn)在針對(duì)芯片的...

、dna是引人注目的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，因?yàn)榕c目前使用的電子介質(zhì)相比，其具有優(yōu)異的密度、穩(wěn)定性、能量效率和壽命。然而，在存儲(chǔ)、測(cè)序以及與測(cè)序相關(guān)的操作和過(guò)程的各個(gè)階段或期間，可能引入或以其它方式發(fā)生錯(cuò)誤和模糊。因此，需要開(kāi)發(fā)有效進(jìn)行dna質(zhì)量控制的方法。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、dna數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的目標(biāo)可以是提...

本申請(qǐng)涉及包括微機(jī)電系統(tǒng)(mems)傳感器的設(shè)備以及制造這種設(shè)備的方法。、微機(jī)電系統(tǒng)(mems)傳感器可以通過(guò)選擇性地構(gòu)造和去除材料而在材料(諸如半導(dǎo)體材料(例如硅))中形成。這種mems傳感器的一個(gè)例子是壓力傳感器，其中可以形成密封腔室的膜。環(huán)境壓力的變化可以使膜變形，這可以使用例如應(yīng)變...

一種起爆序列用V型結(jié)構(gòu)MEMS執(zhí)行器本發(fā)明涉及引信，具體涉及一種起爆序列用V型結(jié)構(gòu)MEMS執(zhí)行器。引信是利用目標(biāo)和環(huán)境信息，在預(yù)定條件下引爆或引燃彈藥戰(zhàn)斗部裝藥的控制裝置（系統(tǒng)），通常安裝在火箭、導(dǎo)彈彈頭和炮/坦克/迫擊炮彈藥等上，根據(jù)彈藥種類(lèi)的不同和對(duì)付目標(biāo)的需要選擇不同...

本發(fā)明涉及微機(jī)電，更具體地，本發(fā)明涉及一種微機(jī)電結(jié)構(gòu)、微機(jī)電結(jié)構(gòu)的制備方法、傳感器及電子設(shè)備。、微機(jī)電結(jié)構(gòu)是基于微機(jī)電系統(tǒng)(mems，micro-electro-mechanical?system)技術(shù)制造的結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)單的說(shuō)，微機(jī)電結(jié)構(gòu)能夠利用半導(dǎo)體材料形成電容器，并將電容器集成在微硅晶片上...

本發(fā)明涉及mems封裝結(jié)構(gòu)制備領(lǐng)域，特別是涉及一種mems封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。、微機(jī)電系統(tǒng)（mems）器件，特別是對(duì)環(huán)境極端敏感的微結(jié)構(gòu)，例如懸臂梁傳感器（尺寸約為-μm長(zhǎng)，μm寬），通常需要封裝在一個(gè)密閉的腔體環(huán)境中。這種封裝旨在提供全面的防護(hù)，包括防塵、防潮、防氣體污染，并提供必要的...

本發(fā)明涉及微納米結(jié)構(gòu)加工，具體涉及一種微納米反結(jié)構(gòu)陣列及其制備方法與應(yīng)用。、自ebbesen等人報(bào)道了金屬薄膜上亞波長(zhǎng)微納米孔的增強(qiáng)透射現(xiàn)象后。這一結(jié)構(gòu)類(lèi)別(也稱(chēng)之為反結(jié)構(gòu))被廣泛的應(yīng)用和研究。在特定入射波長(zhǎng)下異常增強(qiáng)的光透射主要?dú)w因于微納米孔反結(jié)構(gòu)陣列中的不同等離激元振蕩模式。這種光學(xué)現(xiàn)...

本發(fā)明涉及mems封裝結(jié)構(gòu)制備領(lǐng)域，特別是涉及一種mems封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。、微機(jī)電系統(tǒng)（mems）器件，如懸臂梁傳感器、諧振器和慣性傳感器等，通常需要在密閉的腔體中工作，以提供防塵、防潮、防氣體污染及機(jī)械保護(hù)。為了在晶圓級(jí)封裝（wafer-level?packaging,?wlp）中...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種mems器件及其制造方法。、在mems器件中，會(huì)通過(guò)設(shè)置兩層梳齒結(jié)構(gòu)來(lái)提高其性能。參閱圖a～圖d，形成具有兩層梳齒結(jié)構(gòu)的mems器件的部分步驟包括：如圖a所示，在第一半導(dǎo)體層中刻蝕出梳齒結(jié)構(gòu)之后，會(huì)采用犧牲層對(duì)梳齒結(jié)構(gòu)中的釋放孔進(jìn)行封口；然后，如圖b所示，在部...

本發(fā)明屬于芯片封裝，特別涉及一種抑制振膜余振的封裝方法。、在pmut(壓電微機(jī)械超聲換能器)器件中，振膜是超聲換能器芯片部分的重要元件之一。振膜是指能夠發(fā)生振動(dòng)并將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能或反之的薄膜狀元件，振膜振動(dòng)則是指振膜在受到某種電信號(hào)驅(qū)動(dòng)下而產(chǎn)生振動(dòng)；而余振則是指當(dāng)這種電信號(hào)消失后，振膜由...

本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng)制造，具體涉及一種適配外球面電極的諧振子金屬化制作方法。、陀螺儀是一種測(cè)量載體繞固定軸相對(duì)慣性空間的旋轉(zhuǎn)角運(yùn)動(dòng)的傳感器。陀螺儀種類(lèi)繁多，尺寸各異，目前微小型陀螺儀多屬于哥氏振動(dòng)陀螺儀。此類(lèi)陀螺的原理是利用科里奧利效應(yīng)實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)模態(tài)和檢測(cè)模態(tài)之間的能量轉(zhuǎn)移，通過(guò)檢測(cè)陀螺儀在...

本申請(qǐng)屬于微機(jī)電系統(tǒng)，尤其涉及一種微閥門(mén)制造方法、微閥門(mén)及電子設(shè)備。、mems(micro-electro-mechanical?system，微機(jī)電系統(tǒng))是一種集微傳感器、微執(zhí)行器、微機(jī)械結(jié)構(gòu)、微電源微能源、信號(hào)處理和控制電路、高性能電子集成器件、接口、通信等于一體的微型器件或系統(tǒng)?，F(xiàn)有...

本發(fā)明屬于光電器件加工，具體涉及一種基于犧牲層釋放工藝的微電極制備方法。、微型電極廣泛應(yīng)用于生物醫(yī)藥、神經(jīng)科學(xué)、傳感器、微電子等領(lǐng)域，用于高精度檢測(cè)和操作。在生物醫(yī)學(xué)工程領(lǐng)域應(yīng)用時(shí)，由于神經(jīng)細(xì)胞體直徑通常在μm至μm之間，因此需要的微型電極加工尺度在微米級(jí)。、微米級(jí)微型電極的制造技術(shù)中，去...

本申請(qǐng)涉及光電子器件制造，具體而言，涉及基于分體鍵合的moems掃描光柵的晶圓級(jí)制造方法。、moems掃描光柵作為激光雷達(dá)、光譜分析、投影顯示等系統(tǒng)的核心元器件，其光學(xué)性能、制造成本和長(zhǎng)期工作的可靠性對(duì)整個(gè)應(yīng)用系統(tǒng)的表現(xiàn)至關(guān)重要。、當(dāng)前，為了制造此類(lèi)moems掃描光柵，行業(yè)內(nèi)主要存在兩種技...

本揭露是關(guān)于一種微機(jī)電結(jié)構(gòu)。、以下內(nèi)容是關(guān)于半導(dǎo)體裝置及其制造技術(shù)，微機(jī)電(microelectromechanical，mems)技術(shù)，mems致動(dòng)器及感測(cè)器裝置以及其制造，mems梳狀驅(qū)動(dòng)及其制造，以及相關(guān)技術(shù)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本揭露的又一實(shí)施方式揭示了一種微機(jī)電結(jié)構(gòu)，包括第一電極、第二...