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微觀裝置的制造及其處理技術(shù)
  • 一種基于沖量差顆粒脫附的微納結(jié)構(gòu)與器件直寫方法與流程
    本發(fā)明涉及微納結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,特別是涉及一種基于沖量差顆粒脫附的微納結(jié)構(gòu)與器件直寫方法。電子束在微納結(jié)構(gòu)與器件構(gòu)筑等方面展現(xiàn)了強(qiáng)大的功能,形成了電子束誘導(dǎo)原位合成(ebis)、電子束刻蝕(ebl)、電子束誘導(dǎo)沉積(ebid)及電子束碳化直寫等微納加工技術(shù)。ebis技術(shù)基于電子束的物理...
  • 微機(jī)電系統(tǒng)器件的制造方法及微機(jī)電系統(tǒng)器件與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造,更具體地,涉及一種微機(jī)電系統(tǒng)器件的制造方法及微機(jī)電系統(tǒng)器件。隨著微機(jī)電系統(tǒng)(英文全稱microelectromechanicalsystem,簡稱mems)技術(shù)的發(fā)展,硅材料開始作為一種低成本、易加工的結(jié)構(gòu)材料在微電子領(lǐng)域中興起。但作為一種功能材料,硅材料的性...
  • 一種帶硅基壓阻式傳感器的MEMS器件的制作方法
    本發(fā)明涉及mems器件,特別是涉及一種帶硅基壓阻式傳感器的mems器件。隨著微納加工技術(shù)的快速發(fā)展,mems(microelectromechanicalsystems)器件基于其小型集成化、功耗低、重量輕、易于批量化生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)、汽車、手機(jī)、安防等各個(gè)方面。其中,m...
  • 一種可變MEMS微波濾波器及其制備方法與流程
    本發(fā)明涉及無線通電硬件設(shè)備技術(shù),特別涉及一種可變mems微波濾波器及其制備方法。mems是微機(jī)電系統(tǒng)的縮寫,指的是集微傳感器、微執(zhí)行器、微機(jī)械結(jié)構(gòu)、微電源微能源、信號處理和控制電路、高性能電子集成器件、接口、通信等于一體的微型器件或系統(tǒng),微波濾波器可以分離不同頻率微波信號,它的主要...
  • 一種傳感器封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
    本發(fā)明實(shí)施例涉及傳感器封裝,尤其涉及一種傳感器封裝結(jié)構(gòu)。目前mems傳感器封裝形式普遍通過金線鍵合實(shí)現(xiàn)電氣連接。而金線鍵合工序是傳統(tǒng)載芯片板(chiponboard)封裝中的瓶頸工序,由于使用的是金線,封裝材料成本較高;有些產(chǎn)品每顆芯片上甚至要鍵合高達(dá)十幾根金線,這使得設(shè)備受每小時(shí)...
  • 一種微機(jī)電系統(tǒng)器件及其制造方法與流程
    本發(fā)明涉及mems(micro-electro-mechanicalsystem,微機(jī)電系統(tǒng))器件,更為具體地,本發(fā)明提供了一種微機(jī)電系統(tǒng)器件及其制造方法。鍵合技術(shù)一般是指將兩片同質(zhì)或異質(zhì)半導(dǎo)體材料在一定條件下直接結(jié)合之后通過范德華力、分子力甚至原子力使晶片鍵合成為一體的技術(shù),所以...
  • 用于封閉MEMS元件中的進(jìn)口部的方法與流程
    本發(fā)明涉及一種用于封閉mems元件中的進(jìn)口部的方法。此外,本發(fā)明還涉及一種mems元件。雖然本發(fā)明一般能夠應(yīng)用到任意的mems元件上,但是根據(jù)呈mems麥克風(fēng)或者mems壓力傳感器的形式的、具有柔性的膜片和限定的空腔內(nèi)壓的mems傳感器來闡述本發(fā)明。在已知的mems傳感器、例如mems壓力傳感器或...
  • 用于制造具有阻尼器結(jié)構(gòu)的微機(jī)械設(shè)備的方法與流程
    本發(fā)明涉及一種用于制造具有阻尼器結(jié)構(gòu)的微機(jī)械設(shè)備的方法。現(xiàn)在,用于汽車的駕駛穩(wěn)定程序(所謂的esp)的轉(zhuǎn)速傳感器通常安放在馬達(dá)空間中的控制器中。由此,對更好的振動阻尼的需求、此外對降低微機(jī)械傳感器的熱的以及封裝誘發(fā)的應(yīng)力負(fù)荷的需求增加。由于高度自動化駕駛的開發(fā),還進(jìn)一步提高了要求,因?yàn)樵谶@...
  • 微聲學(xué)晶片級封裝及制造方法與流程
    描述微聲學(xué)晶片級封裝及制造方法微聲學(xué)器件需要用于將聲學(xué)上的有源器件結(jié)構(gòu)封閉在其中的空腔。形成這種腔的優(yōu)選的方法是晶片級封裝工藝,其中帽晶片被晶片鍵合到承載功能器件結(jié)構(gòu)的基底晶片上。帽晶片中的凹部或諸如布置在基底晶片與帽晶片之間的框架結(jié)構(gòu)的間隔物提供了用于空腔所需的空間。晶片鍵合可以包括高溫步驟,該...
  • 傳感器封裝結(jié)構(gòu)、MEMS傳感器及可穿戴設(shè)備的制作方法
    本實(shí)用新型涉及傳感器,特別涉及一種傳感器封裝結(jié)構(gòu)、mems傳感器及可穿戴設(shè)備。近年來,智能手表、手環(huán)類可穿戴產(chǎn)品在人們?nèi)粘I钪械膽?yīng)用越來越廣泛,并且隨著科技的發(fā)展,可穿戴產(chǎn)品在滿足性能要求的基礎(chǔ)上,對防水性能的要求也越來越高。為了達(dá)到高級別的防水要求,mic部分的設(shè)計(jì)都會用到防水...
  • 組合傳感器和電子設(shè)備的制作方法
    本實(shí)用新型涉及封裝,特別涉及一種組合傳感器和電子設(shè)備??纱┐髟O(shè)備作為消費(fèi)類電子的一大熱點(diǎn),其能同時(shí)實(shí)現(xiàn)多種傳感功能的趨勢也愈實(shí)用新型顯。如通過慣性傳感器來記錄戶外運(yùn)動狀態(tài)的同時(shí),利用氣體傳感器來監(jiān)測運(yùn)動壞境。但是由于氣體傳感器與慣性器件的工作原理以及結(jié)構(gòu)的不同,使得慣性傳感器與氣體...
  • 本發(fā)明涉及一種彎曲換能器,及其作為致動器或者傳感器的使用,以及一種彎曲換能器系統(tǒng)。需要微機(jī)械裝置(MEMS)以將電信號轉(zhuǎn)換成機(jī)械效應(yīng),即在致動器的情況下,或者將機(jī)械效應(yīng)轉(zhuǎn)換成電信號,即在傳感器的情況下。出于本申請的目的,“效應(yīng)”意味著例如執(zhí)行工作,以及相關(guān)聯(lián)偏轉(zhuǎn)或者彎矩的應(yīng)用。微機(jī)電組件的...
  • 一種灰度曝光制備2.5D微納結(jié)構(gòu)的方法與流程
    本發(fā)明屬于半導(dǎo)體學(xué)中的微觀結(jié)構(gòu)領(lǐng)域,更具體地,涉及一種灰度曝光制備2.5d微納結(jié)構(gòu)的方法。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展進(jìn)步,微觀結(jié)構(gòu)加工精度已達(dá)到納米尺度。其中,激光直寫、紫外光刻、電子束曝光和納米壓印都能夠制作灰度曝光圖形。而2.5d微納結(jié)構(gòu)(具有不同高度等級的微納結(jié)構(gòu))大面積制備仍然存在成本高...
  • 制造凸塊或柱的方法和半導(dǎo)體器件與流程
    本發(fā)明的實(shí)施例涉及制造凸塊或柱的方法和半導(dǎo)體器件。最近已經(jīng)開發(fā)了微電子機(jī)械系統(tǒng)(mems)器件。mems器件包括使用半導(dǎo)體技術(shù)制造的器件以形成機(jī)械和電子部件。mems器件實(shí)現(xiàn)在壓力傳感器、麥克風(fēng)、致動器、鏡像、加熱器和/或打印機(jī)噴嘴中。雖然用于形成mems器件的現(xiàn)有器件和方法對于它們的預(yù)期...
  • 一種垂直納米線陣列的制備方法與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成,尤其涉及一種垂直納米線陣列的制備方法。垂直納米線(v-sinw)是制造和發(fā)展晶體管、微型機(jī)電系統(tǒng)、光學(xué)傳感器、和硅基電池的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)。垂直硅納米線陣列是一種特別的硅納米結(jié)構(gòu),在下一代光伏、光催化、傳感器件等方面表現(xiàn)出了巨大的潛力。但是目前,v-sinw陣列的制備...
  • 微傳感芯片及其制造方法與流程
    本申請涉及傳感器,尤其涉及微傳感芯片及其制造方法。作為信息科技產(chǎn)業(yè)的第三次革命,物聯(lián)網(wǎng)要求通過各種信息傳感器實(shí)現(xiàn)萬物互聯(lián)。傳統(tǒng)傳感器體積較大,難以集成和批量生產(chǎn),因此價(jià)格昂貴,這對于對傳感器需求量巨大的物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)來說成本過大。微機(jī)電技術(shù)(mems,micro-electro-mec...
  • 一種納米線MIM陣列器件及制備方法與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成,尤其涉及一種納米線mim陣列器件及制備方法。阻變儲存器、鐵電存儲器、ftj需要采用交差mim陳列的結(jié)構(gòu),并且隨著技術(shù)發(fā)展,對于形成小尺寸的交差mim陳列可以縮小器件尺寸、提高器件集成度,降低器件更好以及改善的均勻性。但是目前是制造的重要交差納米mim陣列主要通...
  • 一種柔彈性導(dǎo)電微納柱體的制備方法及其應(yīng)用與流程
    本發(fā)明屬于材料加工與合成領(lǐng)域,具體涉及一種柔彈性導(dǎo)電微納柱體的制備方法及其應(yīng)用。柔性樹脂是一種中等硬度、耐磨、在高強(qiáng)度擠壓和反復(fù)拉伸下表現(xiàn)出優(yōu)秀彈性的材料,其兼具柔性和彈性,廣泛用于鉸鏈、減震、接觸面,和其他工程應(yīng)用。半導(dǎo)體材料(semiconductormaterial)是一類具有半導(dǎo)體...
  • 一種納米網(wǎng)的制備方法與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成,尤其涉及一種納米網(wǎng)的制備方法。納米網(wǎng)格(nanomesh)是制造傳感器晶體管、微型機(jī)電系統(tǒng)、光學(xué)傳感器和硅基電池的重要材料,特別是在新興的柔性傳感器具有重要的優(yōu)勢。垂直排列硅納米線(va-sinw)陣列是一種特別的硅納米結(jié)構(gòu),在下一代光伏、光催化、傳感器件等方...
  • 具有導(dǎo)電性能的大尺度超滑元件及其加工工藝、大尺度超滑系統(tǒng)的制作方法
    本發(fā)明屬于結(jié)構(gòu)超滑的,更具體地說,是涉及一種具有導(dǎo)電性能的大尺度超滑元件及其加工工藝、大尺度超滑系統(tǒng)。結(jié)構(gòu)超滑是解決摩擦磨損導(dǎo)致的能量耗散和機(jī)械損傷問題的理想方案之一,結(jié)構(gòu)超滑是指兩個(gè)原子級光滑且非公度接觸的范德華固體表面之間摩擦、磨損幾乎為零的現(xiàn)象。目前結(jié)構(gòu)超滑一般是采用石墨等材...
技術(shù)分類