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一種背襯型高頻寬帶pmut單元及pmut陣列.本發(fā)明涉及超聲換能器，尤其是涉及背襯型高頻寬帶pmut單元及pmut陣列。.超聲換能器是一種有效、廉價(jià)、無(wú)輻射的非破壞性檢測(cè)技術(shù)。在以下行業(yè)中廣泛使用的設(shè)備：非破壞性測(cè)試(ndt)、速度檢測(cè)、工業(yè)自動(dòng)化、物體識(shí)別、防撞系統(tǒng)和醫(yī)學(xué)...

.本發(fā)明涉及一種用于傳感器或麥克風(fēng)設(shè)備的微機(jī)械組件。本發(fā)明還涉及一種用于傳感器或麥克風(fēng)設(shè)備的微機(jī)械組件的制造方法。.圖a至c示出了示意性橫截面用于闡述一種根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于制造常規(guī)半導(dǎo)體組件的方法，該方法被申請(qǐng)人稱(chēng)為內(nèi)部現(xiàn)有技術(shù)。.在借助圖a至c示意性示出的常規(guī)方法中，首先形成由如下構(gòu)成的...

.本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制備，特別涉及一種光學(xué)微納結(jié)構(gòu)的制備方法。.微納結(jié)構(gòu)的制備方法有離子束加工、極紫外干涉光刻、孔洞掩膜膠體光刻、熱蒸發(fā)等，其中利用最多的是離子束加工。離子束加工微納結(jié)構(gòu)具有簡(jiǎn)便、快速的特點(diǎn)，同時(shí)還被廣泛應(yīng)用于透射電子顯微鏡制樣、光學(xué)結(jié)構(gòu)加工、表面拋光、微機(jī)電系統(tǒng)(m...

.本發(fā)明實(shí)施例涉及微機(jī)電系統(tǒng)，尤其涉及一種空腔結(jié)構(gòu)的制備方法和微機(jī)電系統(tǒng)傳感器。.在微機(jī)電系統(tǒng)領(lǐng)域，很多微機(jī)電結(jié)構(gòu)都是體結(jié)構(gòu)，傳感器件需要制作出很多空腔。.目前大部分制作這種空腔薄膜或者懸臂梁結(jié)構(gòu)一般采用深硅刻蝕，從晶圓背面進(jìn)行背面雙面對(duì)準(zhǔn)進(jìn)行光刻圖形化，采用深硅刻蝕機(jī)臺(tái)或者濕法體...

一種微米級(jí)硅基微熱板精確溫控系統(tǒng)(一).本發(fā)明涉及的是一種微米級(jí)硅基微熱板精確溫控系統(tǒng)，可用于光電探測(cè)、光纖相位調(diào)制以及太赫茲功能器件等方向，屬于mems。(二).微熱板是一種基于mems技術(shù)的加熱平臺(tái)，可對(duì)置于加熱板表面的器件持續(xù)加熱，確保被加熱器件在所需的溫度下穩(wěn)定工作...

一種使用soi圓片制作mems驅(qū)動(dòng)臂的方法.本發(fā)明涉及的是一種使用soi圓片制作mems驅(qū)動(dòng)臂的方法及電熱式mems驅(qū)動(dòng)臂，屬于微機(jī)械電子系統(tǒng)領(lǐng)域。.基于熱雙層材料（bimorph）結(jié)構(gòu)的電熱式mems驅(qū)動(dòng)臂通過(guò)對(duì)導(dǎo)電回路層（加熱層）施加電壓產(chǎn)生的焦耳熱對(duì)器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，具有大轉(zhuǎn)...

一種基于藍(lán)寶石襯底的alon矩形納米陣列及其制備方法.本發(fā)明屬于寬禁帶半導(dǎo)體，具體涉及一種基于藍(lán)寶石襯底的alon矩形納米陣列及其制備方法。.現(xiàn)有技術(shù)中，制備低位錯(cuò)密度的aln/algan材料是開(kāi)發(fā)紫外光通訊器件、日盲區(qū)紫外探測(cè)器、深紫外led器件以及深紫外激光器的基礎(chǔ)。但...

.本發(fā)明涉及換能器，尤其涉及一種換能器元件及其制備方法、換能器。.換能器在醫(yī)學(xué)成像、治療、工業(yè)流量計(jì)、汽車(chē)?yán)走_(dá)、室內(nèi)定位等多方面有廣泛的應(yīng)用，特別是在醫(yī)學(xué)成像方面與x-ray(x射線)、核磁成像并稱(chēng)為三大醫(yī)學(xué)成像技術(shù)。.其中，以mems(microelectromechanica...

.本發(fā)明涉及一種具有氣密空腔的微機(jī)電裝置，適用于感測(cè)環(huán)境中的氣體的濃度、氣壓、濕度及溫度。.以往，在有感測(cè)環(huán)境狀態(tài)的需求時(shí)，會(huì)分別使用感測(cè)環(huán)境的裝置(例如:溫度計(jì)、濕度計(jì))來(lái)進(jìn)行感測(cè)。未來(lái)，可將不同感測(cè)功能的傳感器整合在智能型手機(jī)或家庭中的智能家電等智能型電子裝置。因此，相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)者發(fā)展...

一種制作電熱式mems驅(qū)動(dòng)臂的方法及電熱式mems驅(qū)動(dòng)臂.本發(fā)明涉及的是一種制作電熱式mems驅(qū)動(dòng)臂的方法及電熱式mems驅(qū)動(dòng)臂，屬于微機(jī)械電子系統(tǒng)領(lǐng)域。.基于熱雙層材料（bimorph）結(jié)構(gòu)的電熱式mems驅(qū)動(dòng)臂通過(guò)對(duì)導(dǎo)電回路層（加熱電阻層）施加電壓產(chǎn)生的焦耳熱對(duì)器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)...

.本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanicalsystems，mems)領(lǐng)域，尤其涉及一種mems裝置及其制備方法。.微機(jī)電系統(tǒng)mems器件廣泛應(yīng)用于光通信、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。其原理是，利用加載在mems器件驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)上的電勢(shì)差產(chǎn)生靜電力和力矩，驅(qū)動(dòng)mems器件上的...

本發(fā)明涉及納米材料，特別涉及一種微球輔助金屬納米線精準(zhǔn)操控的方法。納米結(jié)構(gòu)的獨(dú)立和精準(zhǔn)操控是納米器件在各應(yīng)用中充分發(fā)揮潛力的前提。特別是各向異性的納米結(jié)構(gòu)，例如納米線、納米管等，由于其化學(xué)、物理性質(zhì)高度依賴(lài)于其方向和位置，它們的精準(zhǔn)獨(dú)立操控對(duì)于光電納米器件的構(gòu)建與應(yīng)用具有重要的意義...

本發(fā)明涉及一種利用圖形化襯底壓印制備石墨烯納米網(wǎng)(gnm)的方法，屬于半導(dǎo)體材料制備及加工領(lǐng)域。自石墨烯(gr)問(wèn)世以來(lái)，圖案化gr得到了廣泛的關(guān)注和研究并應(yīng)用于gr光子學(xué)、等離激元和超級(jí)電容器等各種領(lǐng)域。很多gr多孔材料也因此誕生，比如gr納米網(wǎng)(gnm)、褶皺gr(cg)和gr泡沫(g...

本發(fā)明涉及微納系統(tǒng)，特別地，涉及懸空二維材料器件，更具體的涉及一種懸空二維材料器件及規(guī)?；苽浞椒ā＜{機(jī)電諧振器是將電學(xué)和機(jī)械功能整合起來(lái)的納米尺度微系統(tǒng)。納機(jī)電諧振器在諧振式傳感器應(yīng)用方面有巨大潛力。目前，國(guó)際公認(rèn)的一些納機(jī)電系統(tǒng)特征包括，器件的最小物理尺度在納米量級(jí)、諧振頻率高...

本發(fā)明屬于微機(jī)電系統(tǒng)，具體涉及一種應(yīng)變調(diào)控低維材料的微機(jī)電執(zhí)行器的制作方法。隨著微機(jī)電系統(tǒng)和低維材料的快速發(fā)展，在原子尺度上操縱和施加應(yīng)變能夠改變能帶結(jié)構(gòu)，為大幅度的提高材料的性能提供了可能。二維材料和納米線材料等低維材料在拉伸應(yīng)變等機(jī)械變形下表現(xiàn)出可調(diào)的材料性能，其對(duì)應(yīng)的塊體材料...

本發(fā)明涉及mems器件制造領(lǐng)域，特別涉及一種低間距高平整度mems器件復(fù)合金屬犧牲層制備方法。隨著通信技術(shù)的發(fā)展，電子產(chǎn)品逐漸向小型化和多功能方向發(fā)展，mems(微電子機(jī)械系統(tǒng))由于具有微型化、智能化、多功能、高集成度等一系列優(yōu)點(diǎn)，在軍事與民用領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。mems器件的制備過(guò)程包括通...

本發(fā)明實(shí)施例涉及紅外熱電堆傳感器技術(shù)，尤其涉及一種紅外熱電堆傳感器、芯片及其制備方法。紅外熱電堆傳感器是一種利用塞貝克效應(yīng)，將紅外輻射能量轉(zhuǎn)換為電信號(hào)輸出的傳感器。利用mems和cmos工藝相結(jié)合，可以將紅外熱電堆傳感器制造成一定規(guī)模的紅外陣列傳感器芯片，將一定區(qū)域內(nèi)的所有被測(cè)物體探測(cè)以二...

本發(fā)明實(shí)施例涉及紅外熱電堆傳感器技術(shù)，尤其涉及一種紅外熱電堆傳感器、芯片及其制備方法。紅外熱電堆傳感器是一種利用塞貝克效應(yīng)，將紅外輻射能量轉(zhuǎn)換為電信號(hào)輸出的傳感器。利用mems和cmos工藝相結(jié)合，可以將紅外熱電堆傳感器制造成一定規(guī)模的紅外陣列傳感器芯片，將一定區(qū)域內(nèi)的所有被測(cè)物體探測(cè)以二...

本發(fā)明涉及mems器件領(lǐng)域，尤其涉及一種mems器件的esd保護(hù)系統(tǒng)。針對(duì)普通集成電路(ic)器件的可靠性造成傷害的主要原因就是靜電放電(esd)，尤其是針對(duì)mems器件，例如rfmems開(kāi)關(guān)。esd是一種常見(jiàn)的近場(chǎng)危害源，可形成高電壓，強(qiáng)電場(chǎng)，瞬時(shí)大電流，并伴有強(qiáng)電磁輻射...

本實(shí)用新型涉及傳感器，特別涉及一種mems傳感器和應(yīng)用該mems傳感器的電子設(shè)備。傳感器作為檢測(cè)器件，現(xiàn)已普遍應(yīng)用在手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦以及穿戴設(shè)備之中。近年來(lái)，隨著科技的快速發(fā)展，微機(jī)電系統(tǒng)(mems，micro-electro-mechanicalsystem)應(yīng)運(yùn)而生，...