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.本發(fā)明屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及單一載流子多孔膜支架及其制備方法和應(yīng)用。.作為信息、新能源等高科技產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料，半導(dǎo)體材料與技術(shù)在發(fā)光二極管、有機(jī)薄膜晶體管、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，具有極其重要的戰(zhàn)略地位。深入研究半導(dǎo)體材料的性質(zhì)對(duì)于深入認(rèn)知半導(dǎo)體材料性質(zhì)，進(jìn)而改進(jìn)半導(dǎo)...

微流體致動(dòng)器裝置.本案關(guān)于一種微流體致動(dòng)器裝置，尤指一種具有靜電防護(hù)電路的微流體致動(dòng)器裝置。.目前于各領(lǐng)域中無(wú)論是醫(yī)藥、電腦科技、打印、能源等工業(yè)，產(chǎn)品均朝精致化及微小化方向發(fā)展，其中微型幫浦產(chǎn)品所包含的微流體致動(dòng)器為其關(guān)鍵技術(shù)。.隨著科技的日新月異，流體輸送結(jié)構(gòu)的應(yīng)用上亦...

mems傳感器及其微機(jī)電結(jié)構(gòu)、微機(jī)電結(jié)構(gòu)的制造方法.本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，更具體地，涉及mems傳感器及其微機(jī)電結(jié)構(gòu)、微機(jī)電結(jié)構(gòu)的制造方法。.基于微機(jī)電系統(tǒng)(microelectromechanicalsystems，mems)制造的傳感器被稱(chēng)為mems傳感器，mem...

用于增強(qiáng)磷光體在聚合物基質(zhì)中的分散的方法和組合物.相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用.本申請(qǐng)要求于年月日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)第/,號(hào)的權(quán)益，該美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)通過(guò)引用以其整體并入本文。.本公開(kāi)內(nèi)容涉及用于發(fā)光磷光體(luminescentphosphor)例如硫化物磷光體的表面處理的組合物和方法，該組合物和方...

.本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。.mems(micro?electro?mechanicalsystem，微機(jī)電系統(tǒng)/微電子機(jī)械系統(tǒng))是微電子技術(shù)與機(jī)械等技術(shù)結(jié)合的產(chǎn)物，是ic工藝技術(shù)的拓展和延伸，也是微電子技術(shù)應(yīng)用的新突破。mems及其相關(guān)技術(shù)使制造...

一種基于icp刻蝕的連續(xù)曲面三維微結(jié)構(gòu)制備方法.本發(fā)明屬于微光機(jī)電(moems)制造，涉及一種基于icp刻蝕的連續(xù)曲面三維微結(jié)構(gòu)制備方法。.連續(xù)曲面三維微結(jié)構(gòu)制造技術(shù)，主要用于硅基底/碳化硅基底上的連續(xù)曲面三維微結(jié)構(gòu)制造。是制造連續(xù)曲面衍射結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵技術(shù)。同時(shí)，也可應(yīng)用于其...

mems器件及其制造方法.本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造，更具體地，涉及一種mems器件及其制造方法。.mems(microelectromechanicalsystem，即微電子機(jī)械系統(tǒng))是指集微型傳感器、執(zhí)行器以及信號(hào)處理和控制電路、接口電路、通信和電源于一體的微型機(jī)電系統(tǒng)。...

.本發(fā)明涉及傳感設(shè)備，特別涉及一種傳感器芯片、傳感器和電子設(shè)備。.隨著電子設(shè)備技術(shù)的發(fā)展，消費(fèi)者往往會(huì)對(duì)電子設(shè)備的使用性能提出更高的要求。在電子設(shè)備的使用過(guò)程中，常常會(huì)由于水汽的進(jìn)入影響而對(duì)其內(nèi)部的電氣結(jié)構(gòu)造成損壞，特別是傳感器一旦由被水汽進(jìn)入后，會(huì)影響電子設(shè)備的靈敏度，大大降低消...

.本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，特別涉及一種傳感器封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法和電子設(shè)備。.隨著半導(dǎo)體器件的尺寸越來(lái)越小，產(chǎn)品內(nèi)部封裝空間被壓縮，其封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的芯片間距也越來(lái)越小。同時(shí)，由于對(duì)外部腐蝕等的屏蔽要求越來(lái)越高，故要求在集成電路芯片的表面包覆一層防護(hù)層。目前，通常是采用點(diǎn)膠的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)包...

.本發(fā)明屬于光學(xué)操縱，尤其涉及一種基于光鑷系統(tǒng)的介質(zhì)納米顆粒的組裝與固定方法。.當(dāng)前納米結(jié)構(gòu)體系的構(gòu)建方法一般有兩種，即“自上而下”法和“自下而上”法。“自上而下”法是對(duì)尺寸相對(duì)較大的物質(zhì)通過(guò)各種物理化學(xué)手段進(jìn)行刻蝕從而構(gòu)建納米結(jié)構(gòu)體系的方法，此種方法已經(jīng)相當(dāng)完善，但工序復(fù)雜、造價(jià)...

一種mems絕壓式壓力傳感器及其加工方法.本發(fā)明屬于mems微機(jī)械加工制造領(lǐng)域，特別涉及一種mems絕壓式壓力傳感器及其加工方法。.有別于傳統(tǒng)機(jī)械式壓力傳感器，微電子機(jī)械系統(tǒng)(micro?electro?mechanicalsystem，簡(jiǎn)寫(xiě)為mems)壓力傳感器由于其具有體積小...

一種兼容mems工藝的背部懸膜氣體傳感器制備方法.本發(fā)明涉及mems(micro?electro?mechanicsystem微機(jī)電系統(tǒng))加工技術(shù)，特別涉及一種兼容mems工藝的背部懸膜氣體傳感器制備方法。.隨著世界經(jīng)濟(jì)的迅速發(fā)展，日益增加的氣體排放造成了嚴(yán)重的空氣污染。這些氣體...

一種mems應(yīng)力隔離機(jī)構(gòu)及其設(shè)計(jì)方法.本發(fā)明屬于mems機(jī)械設(shè)計(jì)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種mems應(yīng)力隔離機(jī)構(gòu)及其設(shè)計(jì)方法。.在mems器件加工或工作過(guò)程，由于多種材料膨脹系數(shù)失配或溫度效應(yīng)，mems器件通常會(huì)受到殘余應(yīng)力或熱應(yīng)力影響。目前常用應(yīng)力隔離機(jī)構(gòu)由剛性外框和外接彈性梁構(gòu)成，...

.本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝及其制造方法，尤其涉及一種具有傳感區(qū)的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝及其制造方法。.近年來(lái)，例如智能手機(jī)、平板電腦、穿戴式電子設(shè)備等越來(lái)越多電子設(shè)備，逐漸采用傳感器來(lái)控制由設(shè)備所提供的各種操縱功能。由于對(duì)傳感器封裝的高可制造性(manufacturability)以及質(zhì)量...

本發(fā)明申請(qǐng)主張2018年10月29日提交的題目為“使用C2CNT碳納米管-復(fù)合材料的大規(guī)模放大的碳循環(huán)GHGCO2脫除”的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)序列號(hào)No.62\/752，124和2019年8月23日提交的標(biāo)題為“使用C2CNT碳納米管-復(fù)合材料的大規(guī)模放大的碳循環(huán)GHGCO2脫除”的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申...

本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求1的前序部分的方法。具有分層結(jié)構(gòu)的微機(jī)電系統(tǒng)(microelectromechanicalsystems，mems)由現(xiàn)有技術(shù)以多種實(shí)施方式已知。這種系統(tǒng)例如作為傳感器或致動(dòng)器用于使機(jī)械運(yùn)動(dòng)和電信號(hào)彼此轉(zhuǎn)化。在此，在技術(shù)上特別有希望的方案在于硅層與一個(gè)或多個(gè)壓電或...

本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng)領(lǐng)域，尤其涉及一種mems器件以及一種mems器件的制造方法。微機(jī)電系統(tǒng)(microelectromechanicalsystem,簡(jiǎn)稱(chēng)為mems)領(lǐng)域涉及制造微機(jī)電器件和納米機(jī)電器件的技術(shù)。特別的，該技術(shù)可應(yīng)用于在同一個(gè)襯底上制作高性能處理電路和微機(jī)電系統(tǒng)器件或者納米...

本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng)領(lǐng)域，尤其涉及一種mems器件和電路器件的集成結(jié)構(gòu)及其制造方法。微機(jī)電系統(tǒng)(microelectromechanicalsystem,簡(jiǎn)稱(chēng)為mems)領(lǐng)域涉及制造微機(jī)電器件和納米機(jī)電器件的技術(shù)。特別的，該技術(shù)可應(yīng)用于在同一個(gè)襯底上制作高性能處理電路和微機(jī)電系統(tǒng)器件或者納...

本發(fā)明屬于mems制造，涉及一種圖形化金屬的制備方法，具體涉及一種圖形化ag薄膜的制備方法。在芯片制備工藝中，圖形化金屬是mems工藝中不可或缺的一環(huán)，如圖形化金屬掩膜、圖形化金屬電極和圖形性金屬反射層等；而金屬ag薄膜因?yàn)槠涑叩姆瓷渎屎鸵字苽涞仍虮粡V泛的運(yùn)用于mems制備工藝...

本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng)，特別涉及一種復(fù)合柔性襯底及其制作方法。柔性襯底作為柔性微機(jī)電系統(tǒng)(mems)器件中必要的組成結(jié)構(gòu)之一，被廣泛運(yùn)用于諸如柔性應(yīng)變傳感器、溫度傳感器等柔性mems器件。相對(duì)于傳統(tǒng)mems器件的結(jié)構(gòu)固定、材料脆、不易變形等特點(diǎn)而言，柔性mems器件具有能彎曲、易拉伸...